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GN9060E SI N-IGBT Transistor | | UCE | 900V | | UGE | 20V | IC | 60A | Ptot | 200W | fT | - | TJ | - | Photo: | - | Quelle: | Jaeger electronic catalog...... [mehr] Jaeger electronic catalog 1999 | | Erweiterte Informationen zu GN9060E | OEM: | Hitachi Ltd.... [mehr] Hitachi Ltd. Japan | Gehäuse: | TOP-3L | GN9060E Datenblatt (jpg): | - | GN9060E Datenblatt (pdf): | - | OEM Datenblatt: | - | Komplementär Typ: | - | Ähnliche Typen: ↑ | GT60M102, [mehr] GT60M102,..,GT60M104 | Suchmaske Vergleichstyp: | - | | Bauteilsuche: | Suche |
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GN9060E SI N-IGBT Transistor | | UCE | 900V | | UGE | 20V | IC | 60A | Ptot | 200W | fT | - | TJ | - | Photo: | - | Quelle: | Jaeger electronic catalog...... [mehr] Jaeger electronic catalog 1999 | |
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp
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GT60M102 SI N-IGBT Transistor similar to GN9060E, see note | | UCE | 900V | | UGE | 25V | IC | 60A | Ptot | 200W | TON/TOFF | 350/800nS | TJ | - | Photo: | - | Quelle: | Jaeger electronic catalog...... [mehr] Jaeger electronic catalog 1999 | | Ähnlicher Typ: GT60M102 | OEM: | Toshiba Toky... [mehr] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | Gehäuse: | TOP-3L | GT60M102 Datenblatt (jpg): | - | GT60M102 Datenblatt (pdf): | - | OEM Datenblatt: | - | Komplementär Typ: | - | Ähnliche Typen: ↑ | GN9060E | Suchmaske Vergleichstyp: | - | | Bauteilsuche: | Suche |
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GT60M102 SI N-IGBT Transistor similar to GN9060E, see note | | UCE | 900V | | UGE | 25V | IC | 60A | Ptot | 200W | TON/TOFF | 350/800nS | TJ | - | Photo: | - | Quelle: | Jaeger electronic catalog...... [mehr] Jaeger electronic catalog 1999 | | | Ähnlicher Typ: GT60M102 | OEM: | Toshiba Toky... [mehr] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | Gehäuse: | TOP-3L | GT60M102 Datenblatt (jpg): | - | GT60M102 Datenblatt (pdf): | - | OEM Datenblatt: | - | Komplementär Typ: | - | Ähnliche Typen: ↑ | GN9060E | Suchmaske Vergleichstyp: | - | | Bauteilsuche: | Suche |
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GT60M104 SI N-IGBT Transistor similar to GN9060E, see note | | UCE | 900V | | UGE | ±25V | IC DC/AC | 60/120A | Ptot | 200W | TON/TOFF | 350/500nS | TJ | 150°C | Photo: | - | Quelle: | Toshiba Databook Power MO...... [mehr] Toshiba Databook Power MOSFETs 1996 | | Ähnlicher Typ: GT60M104 | OEM: | Toshiba Toky... [mehr] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | Gehäuse: | 2-21F2C | GT60M104 Datenblatt (jpg): | verfügbar | GT60M104 Datenblatt (pdf): | verfügbar | OEM Datenblatt: | - | Komplementär Typ: | - | Ähnliche Typen: ↑ | GN9060E | Suchmaske Vergleichstyp: | - | | Bauteilsuche: | Suche |
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GT60M104 SI N-IGBT Transistor similar to GN9060E, see note | | UCE | 900V | | UGE | ±25V | IC DC/AC | 60/120A | Ptot | 200W | TON/TOFF | 350/500nS | TJ | 150°C | Photo: | - | Quelle: | Toshiba Databook Power MO...... [mehr] Toshiba Databook Power MOSFETs 1996 | | | Ähnlicher Typ: GT60M104 | OEM: | Toshiba Toky... [mehr] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | Gehäuse: | 2-21F2C | GT60M104 Datenblatt (jpg): | verfügbar | GT60M104 Datenblatt (pdf): | verfügbar | OEM Datenblatt: | - | Komplementär Typ: | - | Ähnliche Typen: ↑ | GN9060E | Suchmaske Vergleichstyp: | - | | Bauteilsuche: | Suche |
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp