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GN9060E


SI N-IGBT Transistor
GFX
UCE 900V
UGE 20V
IC 60A
Ptot 200W
fT -
TJ -
der GN9060E ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 900V, Ic = 60A, Anwend: Leistungsstufen
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Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu GN9060E
OEM:Hitachi Ltd.... [mehr]
Hitachi Ltd. Japan
Gehäuse:TOP-3L
GN9060E Datenblatt (jpg):-
GN9060E Datenblatt (pdf):-
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Ähnliche Typen:GT60M102, [mehr]
GT60M102,..,GT60M104
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GN9060E


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GFX
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UGE 20V
IC 60A
Ptot 200W
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der GN9060E ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 900V, Ic = 60A, Anwend: Leistungsstufen
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UCE 900V
UGE 20V
IC 60A
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

GT60M102


SI N-IGBT Transistor
similar to GN9060E, see note
GFX
UCE 900V
UGE 25V
IC 60A
Ptot 200W
TON/TOFF 350/800nS
TJ -
der GT60M102 ist ein ähnlicher Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 900V, Ic = 60A, Anwend: Leistungsstufen
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Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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IC 60A
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GT60M104


SI N-IGBT Transistor
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GFX
UCE 900V
UGE ±25V
IC DC/AC 60/120A
Ptot 200W
TON/TOFF 350/500nS
TJ 150°C
der GT60M104 ist ein ähnlicher Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 900V, Ic = 60A, Anwend: Leistungs- Schalttransistor
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Quelle: Toshiba Databook Power MO...... [mehr]
Toshiba Databook Power MOSFETs 1996
Ähnlicher Typ: GT60M104
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UCE 900V
UGE ±25V
IC DC/AC 60/120A
Ptot 200W
TON/TOFF 350/500nS
TJ 150°C
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SI N-IGBT Transistor
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UCE 900V
UGE ±25V
IC DC/AC 60/120A
Ptot 200W
TON/TOFF 350/500nS
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